OCP Summit開放計算峰會上，三星電子展示了一條容量高達64GB的DDR4內(nèi)存，基于其最新的16Gb(2GB)顆粒，并稱未來可以輕松做到單條256GB。

這條內(nèi)存是面向主流服務器的RDIMM類型，額定頻率2666MHz，電壓為行業(yè)標準1.2V，顆粒制造工藝非常先進但未具體披露(應該就是10nm級別)，號稱功耗比此前的8Gb顆粒降低了20％。

三星表示，這條64GB內(nèi)存是雙Rank配置，正在繼續(xù)開發(fā)四Rank 128GB RDIMM、八Rank 256GB LRDIMM。

三星同時用Intel Xeon、AMD EPYC平臺展示了新內(nèi)存，而如果插滿256GB內(nèi)存條，單路總?cè)萘糠謩e可達3TB、4TB。

至于桌面領(lǐng)域，三星可以利用新的顆粒打造單條32GB UDIMM，這樣一套高端系統(tǒng)可以擁有256GB內(nèi)存，當然價格會十分美麗。

SK海力士此前也曾經(jīng)宣布已經(jīng)完成了單Die 16Gb DDR4顆粒，同樣能夠造出256GB的內(nèi)存條。