在一大波分析預(yù)測(cè)之后，NAND Flash閃存顆粒毫無(wú)懸念走向了供過(guò)于求，被延期了數(shù)年的大容量SSD固態(tài)硬盤(pán)普及也終于如愿以償走上了正軌。目前SSD大廠價(jià)格戰(zhàn)爭(zhēng)已經(jīng)展開(kāi)，PC OEM SSD成本下跌。根據(jù)預(yù)測(cè)，512GB、1TB SSD合約均價(jià)在年底前跌破每GB 0.1美元，達(dá)到歷史新低。

　　512GB乃至1TB SSD將會(huì)取代128GB的市場(chǎng)地位，成為僅次于256GB的市場(chǎng)第二大主流規(guī)格。這意味著，剁手換掉機(jī)械硬盤(pán)時(shí)機(jī)越來(lái)越近。問(wèn)題是，TLC、QLC、NVMe、連續(xù)讀寫(xiě)、隨機(jī)讀寫(xiě)看到就讓人頭疼，如何撥開(kāi)迷霧，選擇合適自己的固態(tài)硬盤(pán)?這里有一些經(jīng)驗(yàn)供大家參考。

　　TLC和QLC閃存顆粒能用嗎?

　　固態(tài)硬盤(pán)結(jié)構(gòu)通常分成幾個(gè)部分，包括用來(lái)存儲(chǔ)內(nèi)容的NAND Flash閃存顆粒，負(fù)責(zé)緩存可能需要訪問(wèn)信息的少量DRAM緩存，以及負(fù)責(zé)讀寫(xiě)的主控芯片。

　　其中NAND Flash閃存顆粒即是大伙購(gòu)買(mǎi)固態(tài)硬盤(pán)討論的重點(diǎn)之一。早期的SLC(Single-Level Cell)閃存顆粒架構(gòu)只有單層，無(wú)法做到大容量，但壽命相當(dāng)可觀，可重復(fù)擦寫(xiě)10萬(wàn)次。

　　而接下來(lái)MLC(Multi-Level Cell)和TLC(Triple-Level Cell)顆粒則是在SLC的1bit單元基礎(chǔ)上，變成2bit和3bit。你可以這么理解，原來(lái)一個(gè)房間只需要住1個(gè)小姐姐，到了TLC，同一個(gè)房間要裝進(jìn)3個(gè)大兄弟。

　　同樣單元內(nèi)融入更多內(nèi)容，成本自然會(huì)降低，但顆粒的擦寫(xiě)壽命、速度都會(huì)下降明顯。例如MLC擦寫(xiě)壽命下降到了1萬(wàn)次，TLC擦寫(xiě)速度只有1000次。QLC則可能達(dá)不到1000次。

　　是的，閃存顆粒歷經(jīng)SLC、MLC、TLC、QLC演變之后，隨著容量增高，性能、壽命、可靠性卻不斷降低。

　　事實(shí)上，從MLC到TLC，對(duì)閃存顆粒讀寫(xiě)的質(zhì)疑聲源源不斷，TLC SSD投入消費(fèi)市場(chǎng)已經(jīng)有3年時(shí)間，隨著讀寫(xiě)算法不斷升級(jí)，TLC得到了主流市場(chǎng)接受。以三星860EVO 250GB SSD為例，三星官方給出的保修條件為五年或150TBW。

　　如果以1天寫(xiě)入50GB數(shù)據(jù)計(jì)算，需要8年才能達(dá)到150TBW的標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于絕大多數(shù)消費(fèi)用戶而言其實(shí)很難做到50GB的數(shù)據(jù)量。反之，對(duì)數(shù)據(jù)寫(xiě)入敏感的企業(yè)用戶，則仍然會(huì)優(yōu)先選擇容量小，但采用SLC閃存顆粒的企業(yè)固態(tài)硬盤(pán)，價(jià)格不是普通消費(fèi)者能夠接受的。

　　因此，關(guān)于閃存顆粒，作為消費(fèi)者其實(shí)可以進(jìn)行如下分類(lèi)：

　　SLC：不要想了，太貴不劃算MLC：追求高性能、高頻率讀寫(xiě)的用戶TLC：追求性價(jià)比，讀取遠(yuǎn)比寫(xiě)入數(shù)據(jù)多的玩游戲玩家QLC：想擁有一定SSD性能表現(xiàn)，以存儲(chǔ)為目的玩家

　　請(qǐng)盡量選擇大容量

　　單純考量單個(gè)閃存顆粒讀寫(xiě)壽命其實(shí)意義不是很大。當(dāng)SSD硬盤(pán)容量越大，單個(gè)閃存顆粒被反復(fù)讀寫(xiě)的機(jī)會(huì)、次數(shù)就會(huì)越少，在使用時(shí)間上看，自然就會(huì)獲得更長(zhǎng)時(shí)間的壽命。

　　大容量的好處不僅僅在于增加單一閃存顆粒使用時(shí)長(zhǎng)。正如前面所言，原始的MLC、TLC讀寫(xiě)速度遠(yuǎn)比SLC難看，QLC甚至連100MB/s都達(dá)不到，連機(jī)械硬盤(pán)都不如。

　　由于DRAM緩存昂貴且無(wú)法做到大容量，是難以做到對(duì)外宣稱(chēng)的高速讀寫(xiě)，這時(shí)候就會(huì)引入一個(gè)寫(xiě)入加速Write Acceleration技術(shù)，普遍做法是利用SLC充當(dāng)緩存，以犧牲容量為代價(jià)換取性能。以提升一定容量下的讀寫(xiě)速度。