英特爾

鳳凰科技訊 北京時(shí)間7月29日消息，據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》網(wǎng)絡(luò)版報(bào)道，英特爾和美光科技在周二宣布，他們已開發(fā)出了一種新型存儲(chǔ)芯片，能夠大幅提升計(jì)算機(jī)、智能機(jī)以及其它類型高科技產(chǎn)品的性能。

英特爾和美光稱，他們計(jì)劃在明年開始銷售這種芯片。該芯片的處理速度最高可達(dá)到當(dāng)前多數(shù)移動(dòng)設(shè)備所用NAND閃存芯片的1000倍，可存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)容量是主流DRAM內(nèi)存芯片的10倍。

這項(xiàng)技術(shù)名為3D Xpoint，雖然處理速度上還無法十分接近DRAM芯片，但是像NAND閃存芯片一樣，即便在斷電后它仍可以保存數(shù)據(jù)。英特爾和美光并未披露太多關(guān)于3D Xpoint的技術(shù)細(xì)節(jié)，包括他們使用的關(guān)鍵材料，但表示使用了一種獨(dú)特方式來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

英特爾和美光高管預(yù)計(jì)，新芯片的速度將催生新型應(yīng)用，令業(yè)界受益匪淺，特別是那些功能模式建立在大量數(shù)據(jù)基礎(chǔ)之上的應(yīng)用，比如語音識(shí)別、金融詐騙偵測(cè)以及基因組學(xué)。

“這確實(shí)是一項(xiàng)革命性技術(shù)，”美光CEO馬克·德肯(Mark Durcan)周二在技術(shù)發(fā)布活動(dòng)上表示。英特爾高級(jí)副總裁鮑勃·克魯克(Rob Crooke)稱：“這是一項(xiàng)很多人認(rèn)為不可能實(shí)現(xiàn)的技術(shù)。”

但是這項(xiàng)新技術(shù)的重要性和獨(dú)創(chuàng)性可能保守爭(zhēng)議。近幾年來，很多其他公司都已經(jīng)宣布在存儲(chǔ)芯片開發(fā)上取得了重要進(jìn)展。創(chuàng)業(yè)公司Crossbar戰(zhàn)略營(yíng)銷和商業(yè)開發(fā)副總裁薩爾文·杜波斯(Sylvain Dubois)表示，英特爾和美光似乎仿效了其電阻式RAM技術(shù)的元素。“這聽起來非常像我們已擁有的技術(shù)，”杜波斯稱。

Everspin Technologies等其他公司也相信，他們?cè)跒榉€(wěn)定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片提供DRAM級(jí)速度上已搶占先機(jī)。

英特爾和美光計(jì)劃初期生產(chǎn)能夠存儲(chǔ)128Gb數(shù)據(jù)的雙層芯片(two-layer chip)，這一存儲(chǔ)容量和現(xiàn)有的部分NAND芯片相當(dāng)。隨著在芯片中堆疊更多電路，英特爾和美光計(jì)劃在日后提升芯片的存儲(chǔ)容量。

參加該技術(shù)發(fā)布活動(dòng)的分析師周二表示，硬件設(shè)計(jì)商需要時(shí)間來決定如何或是否使用這項(xiàng)技術(shù)。英特爾和美光稱，現(xiàn)有技術(shù)為產(chǎn)品提供的速度提升遠(yuǎn)小于新型芯片。(編譯/簫雨)