三星:明年推5/4nm EUV工藝,2020年上馬3nm GAA工藝
隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進(jìn)半導(dǎo)體工藝研發(fā)、投資,全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導(dǎo)體公司就只剩下英特爾、臺積電及三星了,不過英特爾可以排除在代工廠之外,其他無...
隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進(jìn)半導(dǎo)體工藝研發(fā)、投資,全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導(dǎo)體公司就只剩下英特爾、臺積電及三星了,不過英特爾可以排除在代工廠之外,其他無晶圓公司可選的只有三星以及臺積電了,其中臺積電在7nm節(jié)點(diǎn)可以說大獲全勝,流片的7nm芯片有50+多款。三星近年來也把代工業(yè)務(wù)當(dāng)作重點(diǎn),此前豪言要爭取25%的代工市場,今年三星公布了未來的制程工藝路線圖,現(xiàn)在日本的技術(shù)論壇上三星再次刷新了半導(dǎo)體工藝路線圖,今年會推出7nm EUV工藝,明年有5/4nm EUV工藝,2020年則會推出3nm EUV工藝,同時晶體管類型也會從FinFET轉(zhuǎn)向GAA結(jié)構(gòu)。
三星電子4日在日本舉行“三星晶圓代工論壇2018日本會議”,簡稱SFF Japan 2018,這是三星第二次在日本舉行代工會議,日本PCwatch網(wǎng)站介紹了三星這次會議的主要內(nèi)容,三星的口號是“最受信任的代工廠”,并公布了三星在晶圓代工上的最新路線圖。
三星高管表示2018年晚些時候會推出7nm FinFET EUV工藝,而8nm LPU工藝也會開始風(fēng)險試產(chǎn),2019年則會推出5/4nm FinFET EUV工藝,同時開始18nm FD-SOI工藝的風(fēng)險試產(chǎn),后者主要面向RF射頻、eMRAM等芯片產(chǎn)品。
2020年三星則會推出3nm EUV工藝,同時晶體管結(jié)構(gòu)也會大改,從目前的FinFET變成GAA( Gate-All-Around)結(jié)構(gòu),GAA公認(rèn)為7nm節(jié)點(diǎn)之后取代FinFET晶體管的新一代技術(shù)候選。
三星在這次的論壇會議上表示他們是第一家大規(guī)模量產(chǎn)EUV工藝的,這點(diǎn)上倒是沒錯,臺積電要到第二代7nm工藝N7+上才會使用EUV工藝,但是三星比較激進(jìn),7nm節(jié)點(diǎn)上會直接上7nm工藝,未來的5/4/3nm節(jié)點(diǎn)也會全面使用EUV工藝。
根據(jù)三星的說法,他們在韓國華城的S3 Line生產(chǎn)線上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻機(jī),這條生產(chǎn)線原本是用于10nm工藝的,現(xiàn)在已經(jīng)被改造,據(jù)說現(xiàn)在的EUV產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到了大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。
此外,三星還在S3生產(chǎn)線之外建設(shè)全新的生產(chǎn)線,這是EUV工藝專用的,計劃在2019年底全面完成,EUV的全面量產(chǎn)計劃在2020年完成。
對三星來說,他們的7nm客戶都有誰至關(guān)重要,特別是在臺積電搶下絕大多數(shù)7nm訂單的情況下,原文作者認(rèn)為臺積電的7nm產(chǎn)能不可能包攬所有7nm訂單,三星依然有機(jī)會搶得客戶,因此他猜測某公司下一代的GPU有可能交由三星代工——不過他強(qiáng)調(diào)這是自己的推測。
在GPU代工上,三星使用14nm工藝給NVIDA的GTX 1050 Ti/1050顯卡的GP107核心代工過。
下面是三星在封裝測試方面的路線圖了,目前三星已經(jīng)可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封裝,明年則會推出3D SiP系統(tǒng)級封裝,其中I-Cube封裝已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)4路HBM 2顯存堆棧了。
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