內(nèi)存時序

　　內(nèi)存時序是描述同步動態(tài)隨機存取存儲器性能的四個參數(shù)：地址訪問潛伏時間(CL)、行地址到列地址等待時間(TRCD)、行地址預充電時間(TRP)和行地址活動時間(TRAS)，單位為時鐘周期，數(shù)值越小代表越好，其中CL值，也就是時序當中首個數(shù)字是確切的周期數(shù)，CL對內(nèi)存性能的影響是最明顯的，所以很多產(chǎn)品都會把內(nèi)存CL值標在產(chǎn)品名上，而后面的三個數(shù)字都是最小周期數(shù)。內(nèi)存時序參數(shù)影響隨機存儲存儲器速度的延遲時間，較低的數(shù)字通常意味著更快的性能，所以在同代同頻率的情況下，內(nèi)存時序越小越好，一般情況下大家只需要看內(nèi)存時序中的第一個數(shù)字，也就是CL值，數(shù)字越小越好。

內(nèi)存時序

舉個例子：

　　內(nèi)存的時序就是我們這個倉庫的物流人員找到貨物，并把貨物裝上車的時間，一般來說，貨車的載重越大(內(nèi)存條的頻率越高)，物流人員找到這些貨物和裝車所耗費的時間也就越長，所以如果是相同頻率的內(nèi)存條，時序CL值是越小越好(表示物流人員工作效率高)。

　　目前普通的DDR4內(nèi)存，主流頻率為2400MHz，時序是CL15-17數(shù)值左右，但是一些使用極品顆粒的超頻內(nèi)存，例如三星的B-die顆粒就可以輕松做到頻率3200MHz，并且時序只有CL12，這類極品內(nèi)存可以做到保證時序不超標的情況下，超頻上4000MHz以上。

內(nèi)存顆粒

　　內(nèi)存顆粒就是內(nèi)存條PCB板上面黑色小方塊的東西，存儲數(shù)據(jù)的東西，目前主流的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商有三星、海力士、鎂光這三家，如果談品牌好壞的話，排序是三星>海力士>鎂光，當然每一家都有高中低不同檔次的顯存顆粒，在生產(chǎn)時候會有質(zhì)量參差不齊的情況，所以一些成色極品的顆粒會被挑選出來做成高端超頻內(nèi)存條，而一些成色普通但合格的顆粒會被拿去做成普通內(nèi)存條。

內(nèi)存顆粒

內(nèi)存PCB板

　　PCB板就是電路板，一般內(nèi)存廠家會說自家的內(nèi)存是8層或者10層PCB板，PCB板子層數(shù)增加后，不僅厚實，電路板內(nèi)部的電路走線層數(shù)增加，這樣電路走線就不會那么擁擠，可以適當增加每根銅線的寬度，這樣就會有更好的電氣性能，使得超頻更加穩(wěn)定。

內(nèi)存PCB板層

內(nèi)存單通道和雙通道

　　通常單根內(nèi)存只能組建單通道，內(nèi)存想要組建雙通道至少需要兩根內(nèi)存。如果主板擁有四根內(nèi)存插槽設計，需要插入兩根內(nèi)存的情況下，我們需要將內(nèi)存插入1和3插槽或者2、4插槽隔插即可，而主板擁有兩根內(nèi)存插槽，插滿就是組建雙通道了。

內(nèi)存單通道和雙通道插法

雙通道有什么好處?

　　CPU與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸是有來有回的，單通道就相當于一條馬路分了左右車道，一個車道負責去，一個車道負責回，雖然秩序井然但是由于馬路(帶寬)較窄，數(shù)據(jù)流量不會很大。雙通道就相當于又修了一條同樣的馬路，這樣的話，這兩條馬路一條負責收，一條負責發(fā)，馬路整體(帶寬)寬了一倍，流量自然也就增加了。雙通道能夠為電腦帶來一些性能提升，尤其是核顯電腦，由于CPU要同時負責程序數(shù)據(jù)和顯示數(shù)據(jù)的處理，需要的數(shù)據(jù)流量更大，所以雙通道帶來的雙倍帶寬才能滿足這么大的數(shù)據(jù)流量的需求。

　　以上就是電腦內(nèi)存選購知識指南，讀完本文之后，相信您會對內(nèi)存有一定的了解，一般來說，我們選購內(nèi)存一定要優(yōu)先考慮知名品牌，在去選內(nèi)存頻率，一般入門到主流級的電腦建議2400MHz或者2666MHz已經(jīng)足夠了，對于中高端或者高端電腦可以考慮3000MHz甚至更高，當然也需要CPU和主板的支持才行，如果想要超頻高頻內(nèi)存，可以考慮三星顆粒，至于內(nèi)存時序，性能差異并不大。