如今，固態(tài)硬盤(pán)的發(fā)展迅速，技術(shù)也逐步成熟，對(duì)于選購(gòu)固態(tài)硬盤(pán)不再只是容量選擇的那么簡(jiǎn)單，更多人群更在意的是性能與顆粒類型，而對(duì)于SSD顆粒類型，相信不少用戶對(duì)QLC、SLC、MLC、TLC顆粒類型一無(wú)所知，而尤其是最新推出的搭載QLC顆粒的固態(tài)硬盤(pán)來(lái)說(shuō)，不少用戶稱QLC顆粒不好。那么QLC顆粒怎么樣？下面分享一下固態(tài)硬盤(pán)QLC、SLC、MLC、TLC顆粒區(qū)別對(duì)比知識(shí)。

固態(tài)硬盤(pán)QLC、SLC、MLC、TLC顆粒區(qū)別對(duì)比知識(shí)

根據(jù)NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲(chǔ)單元）、MLC（雙層存儲(chǔ)單元）、TLC(三層存儲(chǔ)單元)以及最新推出的QLC（四層存儲(chǔ)單元）。固態(tài)硬盤(pán)依靠閃存芯片來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，里面存放數(shù)據(jù)最小單位叫作“Cell”，SLC每個(gè)cell可以存放1bit數(shù)據(jù)，MLC每個(gè)cell可以存放2bit數(shù)據(jù)，TLC每個(gè)cell可以存放3bit數(shù)據(jù)，而QLC可以存放4bit數(shù)據(jù)。

為了小白更好的理解其中的意義，我來(lái)舉個(gè)例子，我們將芯片可以看做一張畫(huà)滿格子的紙張，cell相當(dāng)于紙張上的一個(gè)個(gè)的格子，數(shù)據(jù)看做是一個(gè)黃豆。也就是說(shuō)，SLC方案每個(gè)格子中只能放入一顆黃豆，所以存儲(chǔ)空間較小，MLC方案每個(gè)格子可以放入兩顆黃豆，TCL方案每個(gè)格子可以放入三顆黃豆，而QLC方案每個(gè)格子可以存放四個(gè)黃豆，成本不變的情況下，存儲(chǔ)空間較大。要知道這個(gè)紙張（芯片晶圓）價(jià)格也十分昂貴的，也就是說(shuō)同樣的晶圓如果做成SLC只有128G，做成MLC就有256G了，做成TLC的話變成512G，而做成QLC我們可以做成更大容量，而成本是相同的。

QLC顆粒

QLC、SLC、MLC、TLC顆粒區(qū)別對(duì)比

SLC（單層存儲(chǔ)單元）

全稱是Single-Level Cell，單層電子結(jié)構(gòu)，每個(gè)cell可以存放1bit數(shù)據(jù)，SLC達(dá)到1bit/cell，寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候電壓變化區(qū)間小，P/E壽命較長(zhǎng)，理論擦寫(xiě)次數(shù)在10萬(wàn)次以上，但是由于成本最高，所以SLC顆粒多數(shù)用于企業(yè)級(jí)高端產(chǎn)品中。

MLC（雙層存儲(chǔ)單元）

全稱是Multi-Level Cell，使用高低電壓的而不同構(gòu)建的雙層電子結(jié)構(gòu)，MLC達(dá)到2bit/cell，P/E壽命較長(zhǎng)，理論擦寫(xiě)次數(shù)在3000-5000次左右，成本相對(duì)較高，但是對(duì)于消費(fèi)級(jí)來(lái)說(shuō)也可以接受，多用于家用級(jí)高端產(chǎn)品中。

TLC（三層存儲(chǔ)單元）

全稱是Trinary-Level Cell，三層式存儲(chǔ)單元，是MLC閃存延伸，TLC達(dá)到3bit/cell，由于存儲(chǔ)密度較高，所以容量理論上是MLC的1.5倍，成本較低，但是P/E壽命相對(duì)要低一些，理論擦寫(xiě)次數(shù)在1000-3000次不等，是目前市面上主流的閃存顆粒。

QLC（四層存儲(chǔ)單元）

全稱是Quad-Level Cell，四層式存儲(chǔ)單元，QLC閃存顆粒擁有比TLC更高的存儲(chǔ)密度，同時(shí)成本上相比TLC更低，優(yōu)勢(shì)就是可以將容量做的更大，成本上更低，劣勢(shì)就是P/E壽命更短，理論擦寫(xiě)次數(shù)僅150次。

QLC、SLC、MLC、TLC顆粒對(duì)比

QLC顆粒為什么不好？

每一個(gè)Cell單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)越多，單位面積容量就越高，但是同時(shí)會(huì)導(dǎo)致不同電壓狀態(tài)越多，并且越難控制，所以采用QLC顆粒的固態(tài)，雖然容量更大價(jià)格更便宜，但是穩(wěn)定性較差，并且P/E壽命較低，速度最慢。

總結(jié)：

QLC NAND最大的優(yōu)勢(shì)就是在于成本更低，相同的成本下能夠做出更大容量的SSD，容量將不再受到限制，1TB容量對(duì)于QLC顆粒來(lái)說(shuō)，都是小意思，幾十到上百TB才是主流，大容量固態(tài)硬盤(pán)時(shí)代開(kāi)始了。但是對(duì)于P/E壽命和速度來(lái)說(shuō)，這是QLC顆粒最大劣勢(shì)之處，P/E壽命的公式是擦寫(xiě)次數(shù)*容量/每天擦寫(xiě)量/365，但是QLC顆粒的固態(tài)硬盤(pán)容量都很大，假設(shè)1個(gè)1TB的QLC顆粒的固態(tài)硬盤(pán)，每天擦寫(xiě)100G，也就是它的壽命=1024*100/100/365，約2.8年，還有這個(gè)最大寫(xiě)入次數(shù)也是理論上的，超出不一定就100%壞了，關(guān)鍵電腦不可能每天打開(kāi)，也有休息的時(shí)候，加之每天不可能都擦寫(xiě)100G，所以它的壽命也是不用太擔(dān)心的，等待固態(tài)硬盤(pán)壞了，整臺(tái)電腦也淘汰了。

QLC顆粒相信不少用戶會(huì)說(shuō)是技術(shù)倒退，但是對(duì)于廠商來(lái)說(shuō)，目前用戶對(duì)存儲(chǔ)容量需求隨之提高，目前TLC和MLC顆粒大容量的固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格偏貴，更低成本更大容量才是未來(lái)趨勢(shì)，相信QLC顆粒會(huì)使得固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)入大容量廉價(jià)時(shí)代。