站長(zhǎng)之家(chinaz.com)8月7日消息，近期SanDisk和東芝均推出了最新一代的NAND閃存，而根據(jù)最新的消息，這種新閃存將很有可能被應(yīng)用到蘋果將在2016年推出的iPhone 7身上，帶來(lái)更快、更大的存儲(chǔ)速度和空間。

iPhone 7將搭載新閃存技術(shù) 速度暴增

這次開(kāi)發(fā)的世界首款256Gbit X3 48層3D NAND閃存，采用3bit/cell多值化技術(shù)，容量為32GB，據(jù)悉無(wú)論是在速度還是效率上都要超過(guò)現(xiàn)有的任何產(chǎn)品。并且還兼具比市面上最優(yōu)秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲(chǔ)速度提高4-5倍，和低能耗的優(yōu)勢(shì)，很適合手機(jī)和平板電腦的設(shè)備。

蘋果和SanDisk、東芝這兩家巨頭早已是合作伙伴，如此優(yōu)秀的技術(shù)怎么可能收為己有，所以蘋果會(huì)在第一時(shí)間為自己的產(chǎn)品使用這種最新的閃存技術(shù)是很有可能的。

離iPhone 6s、iPhone 6s Plus發(fā)布還有一段時(shí)間，iPhone 7的各種消息漫天飛，果迷們消化得了嗎？

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