高通宣布驍龍835處理器:采用三星10nm工藝,支持QC4.0快充
11月17日消息,高通剛剛公布了下一代驍龍?zhí)幚砥?mdash;—驍龍835,高通驍龍835芯片將在2017年初發(fā)布,因此支持最新的QuickCharge40快速充電技術(shù),基于三星10nm制造工藝打造。高通驍龍835處理器將取代驍龍821820...
11月17日消息,高通剛剛公布了下一代驍龍處理器——驍龍835,高通驍龍835芯片將在2017年初發(fā)布,因此支持最新的Quick Charge 4.0快速充電技術(shù),基于三星10nm制造工藝打造。高通驍龍835處理器將取代驍龍821/820,成為高通公司頂級(jí)移動(dòng)處理器。
不過(guò)目前高通并未公布驍龍835的更多信息,但表示10nm工藝將會(huì)帶來(lái)更好的性能領(lǐng)先,提升功率效率,作為對(duì)比高通驍龍820基于14nm制造工藝打造。
援引消息,三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%,效率提升40%,在高通驍龍835上具體數(shù)值還需要后續(xù)才能知曉。但高通驍龍835芯片面積將變得更小是毋庸置疑的。
三星Galaxy S8有望成為首款搭載高通驍龍835處理器的智能手機(jī)設(shè)備,LG和htc也將推出搭載驍龍835的智能手機(jī)。
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